CDBJSC8650-G
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Comchip Technology CDBJSC8650-G
| Artikelnummer: | CDBJSC8650-G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Comchip Technology |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 50+ | $3.6562 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Comchip Technology CDBJSC8650-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CDBJSC8650-G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-220-2 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 650 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz Grundproduktnummer CDBJSC8650 CDBJSC8650-G Einzelheiten PDF [English] CDBJSC8650-G PDF - EN.pdf -
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